鋰電池保護板mos管KIA7P03A是一款高單元密度P溝道MOSFET,漏源電壓-30V,漏極電...鋰電池保護板mos管KIA7P03A是一款高單元密度P溝道MOSFET,漏源電壓-30V,漏極電流-7.5A,出色的導通電阻RDS(ON)18mΩ;具有超低的柵極電荷,最小化開關損耗,具...
逆變器場效應管KNF7650A采用高級平面工藝制造,加固多晶硅柵極結構,能夠提升設...逆變器場效應管KNF7650A采用高級平面工藝制造,加固多晶硅柵極結構,能夠提升設備性能,提高系統效率;KNF7650A漏源電壓500V,漏極電流25A,RDS(ON)為170mΩ;低...
KNX6650A場效應管采用專有平面新技術,漏源電壓500V,漏極電流15A,為高壓、高...KNX6650A場效應管采用專有平面新技術,漏源電壓500V,漏極電流15A,為高壓、高速功率開關應用而設計,RDS(ON)為0.33Ω;低柵電荷最小開關損耗、快速恢復體二極管...
KNX6450B是一款高壓MOS管,漏源電壓500V,漏極電流13A,RDS(ON)為0.35Ω;具...KNX6450B是一款高壓MOS管,漏源電壓500V,漏極電流13A,RDS(ON)為0.35Ω;具備快速切換特性,實現快速切換電源,減少損耗;低柵極電荷、低反向傳輸電容、100%單...
KNX6450A場效應管專為高壓、高速功率開關應用設計,在逆變器領域熱銷,漏源電壓...KNX6450A場效應管專為高壓、高速功率開關應用設計,在逆變器領域熱銷,漏源電壓500V,漏極電流13A,RDS(ON)為0.40Ω;具備低柵極電荷,最小化開關損耗,穩定可靠...
KNP4540A具有優異的性能和穩定性,是一款逆變器專用MOS管,漏源擊穿電壓400V,...KNP4540A具有優異的性能和穩定性,是一款逆變器專用MOS管,漏源擊穿電壓400V,漏極電流6A,RDS(ON)值為0.8Ω,低柵極電荷最小化開關損耗,快速恢復體二極管,符...