通常用于較高頻率的整流和續(xù)流的產(chǎn)品。 用于電源模塊的輸入部份，頻率不...通常用于較高頻率的整流和續(xù)流的產(chǎn)品。 用于電源模塊的輸入部份，頻率不高，不必用快恢復(fù)二極管，用普通二極管即可。 ? 相對二極管來說，加在其兩端...
KIA半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。...KIA半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電， ? ? ?也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體...
深圳市可易亞半導(dǎo)體專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售半導(dǎo)體電子元器件及IC。主營：MOSFET、...深圳市可易亞半導(dǎo)體專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售半導(dǎo)體電子元器件及IC。主營：MOSFET、場效應(yīng)管、三端穩(wěn)壓管、快恢復(fù)二極管、高、低壓mos管系類等產(chǎn)品銷售公司。
來自韓國科學(xué)技術(shù)學(xué)院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，...來自韓國科學(xué)技術(shù)學(xué)院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，KAIST）的團(tuán)隊(duì)研發(fā)了一種用于場效應(yīng)晶體管的高性能超薄聚合絕緣體。
KIA16N50H場效應(yīng)管漏源電壓500V，漏極電流16A，出色的導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.32Ω...KIA16N50H場效應(yīng)管漏源電壓500V，漏極電流16A，出色的導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.32Ω；低柵極電荷（典型值45nC），最小化開關(guān)損耗，具有快速切換能力、指定雪崩能量、改...
儲(chǔ)能電源場效應(yīng)管KIA10N60H漏源電壓600V，漏極電流9.5A，出色的導(dǎo)通電阻RDS（O...儲(chǔ)能電源場效應(yīng)管KIA10N60H漏源電壓600V，漏極電流9.5A，出色的導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.6Ω；低柵極電荷（典型值44nC），最小化開關(guān)損耗，具有快速切換能力、指定雪崩...
