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      KIA半導體推出超結場效應管(Super Junction MOSFET)

      信息來源:本站 日期:2016-03-19 

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      采用先進的耐壓原理和優化的設計結構,全新600~900V  SJ-MOS Ⅱ系列產品為系統應用提供充足的耐壓余量,簡化系統設計難度,提高系統可靠性,滿足客戶對高耐壓、低導通電阻和高效率超結MOSFET的需求。


      特性:

      - 更高的耐壓為系統設計和應用提供更充足的余量

      - 更低的導通電阻,利于降低導通損耗

      - 極低的柵極電荷,提供更快的開關速度

      - 同規格下更小的封裝體積,使系統更輕便

      - 100% 雪崩能力測試,確保產品質量可靠


      應用領域:

      - 正激電路

      - 準諧振反激電路

      - 適配器

      - 太陽能逆變器

      - 工業整流




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