KIA35P10A 全新原裝正品 -35A/-100V P溝道 PDF文件-KIA mos管
信息來源:本站 日期:2018-04-28
KIA35P10A采用先進的溝槽MOSFET技術,提供優良的RDS(ON)和柵極。用于各種各樣的應用中的電荷。KIA35P10A滿足RoHS和綠色產品要求,100% EAS保證全功能可靠性批準。
RDS(on) =42mΩ(typ) @ VGS=10V
100% EAS保證
可用綠色設備
超低柵電荷
優良的CDV/DT效應下降
先進的高密度溝槽技術
產品型號:KIA35P10A
工作方式:-35A /-100V
漏源電壓:-100V
柵源電壓:±20V
漏電流連續:-35A
脈沖漏極電流:-100A
雪崩電流:28A
雪崩能量:345mJ
耗散功率:104W
熱電阻:62℃/V
漏源擊穿電壓:-100V
溫度系數:
柵極閾值電壓:-1.2V
輸入電容:4920PF
輸出電容:223PF
上升時間:32.2ns
封裝形式:TO-252
聯系方式:鄒先生
聯系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助