8150原廠MOS管-KNF8150 30A/500V-KNF8150 PDF文件-KIA官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-02-15
特征
先進的平面工藝
RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V
低門負責減少開關損耗
堅固的多晶硅柵結構
應用
無刷直流電機驅(qū)動
電焊機
高效開關電源
參數(shù)
產(chǎn)品型號：KIA8150
工作方式：30A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：30A
脈沖漏極電流：18A
雪崩能量：120A
耗散功率：333W
熱電阻：50℃/W
漏源擊穿電壓：500V
柵極閾值電壓：2.5V
輸入電容：4150 PF
輸出電容：500 PF
上升時間：114ns
封裝形式：TO-3P
 |
KNH8150 |
| 產(chǎn)品編號 | KNF8150（30A 500V） |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產(chǎn)品特征 |
先進的平面工藝 RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V 低門負責減少開關損耗 堅固的多晶硅柵結構 |
| 適用范圍 |
主要適用于無刷直流電機驅(qū)動、電焊機、高效開關電源 |
| 封裝形式 | TO-3P |
| PDF文件 |
 【直接在線預覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | www.4xtruth.com |
| PDF頁總數(shù) | 總8頁 |
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”。
關注「KIA半導體」，做優(yōu)秀工程師！
長按二維碼識別關注
閱讀原文可一鍵關注+技術總匯
