KIA10N65參數(shù)

功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這種先進的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開關(guān)性能，以及在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適合于高效率開關(guān)電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正。

KIA10N65特征

RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V

低柵極電荷（典型的90nc）

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dt／dt能力

產(chǎn)品型號：KIA24N50

工作方式：24A/500V

漏源電壓：500V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：24A

脈沖漏極電流：96A

雪崩能量：1150mJ

耗散功率：290W

熱電阻：40℃/W

漏源擊穿電壓：500V

溫度系數(shù)：0.5V/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：3500 PF

輸出電容：520 PF

上升時間：35 ns

封裝形式：TO-3P

	KIA24N50（24A 500V）
產(chǎn)品編號	KIA24N50/HH
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝	功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這種先進的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開關(guān)性能，以及在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖
產(chǎn)品特征	RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V 低柵極電荷（典型的90nc）高耐用性快速切換 100%雪崩測試改進的dt／dt能力
適用范圍	主要適合于高效率開關(guān)電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正
封裝形式	TO-3P
PDF文件	【直接在線預(yù)覽】
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廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	www.4xtruth.com
PDF總頁數(shù)	總5頁