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      2N60現貨供應商 KIA2N60中文資料 PDF文件 2N60參數資料-KIA 官網

      信息來源:本站 日期:2018-01-27 

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      KIA2N60參數

      KIA2N60  N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計高壓,高速功率開關應用,如開關穩壓器,開關變換器,螺線管,電機驅動器,繼電器驅動程序。


      KIA2N60特征

      RDS(ON)= 4.1Ω@ V GS = 10v

      低柵極電荷(典型9NC)

      高耐用性

      快速切換的能力

      雪崩能量

      改進的dt/dt能力


      產品型號:KIA2N60

      工作方式:2A/600V

      漏源電壓:600V

      柵源電壓:±30V

      漏電流連續:2.0*A

      脈沖漏極電流:8*A

      雪崩能量:12mJ

      耗散功率:44W

      熱電阻:62.5℃/W

      漏源擊穿電壓:600V

      柵極閾值電壓:2.0V

      輸入電容:200 PF

      輸出電容:20 PF

      上升時間:25 ns

      封裝形式:TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F



      KIA2N60(2A/600V)
      產品編號 KIA2N60/HD/HF/HP/HU/OP/PF/PP/PU/U
      FET極性 N溝道MOSFET
      產品工藝 kia2n60hN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計高壓,高速功率開關應用,如開關穩壓器,開關變換器,螺線管,電機驅動器,繼電器驅動程序
      產品特征

      RDS(ON)= 4.1Ω@ V GS = 10v

      低柵極電荷(典型9NC)

      高耐用性

      快速切換的能力

      雪崩能量

      改進的dt/dt能力

      適用范圍 主要適用于功率開關應用,如開關穩壓器,開關變換器,螺線管,電機驅動器,繼電器驅動程序
      封裝形式 TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
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      廠家 KIA原廠家
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      聯系方式:鄒先生

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