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信息來源：本站 日期：2018-01-22
功率金屬氧化物半導體場效應晶體管，利用先進的處理技術達到每個硅片極低的 導通阻抗。這樣有益于結合高速的開關和可靠使MOSFETS大量地實用設備上，使設計師能夠非常高效，可靠的應用在 各個方面。
D2Pak表面封裝的適合于小功率大面積小HEX-4。它能夠提供最大的功率輸出和最可能小的導通阻抗在現(xiàn)有的貼片封裝。
D2Pak適合與大電流應用場合，是因為它有低的內部連接阻抗和具有2W的散熱能力，是典型的貼片封裝應用。
先進的加工技術
極低的導通阻抗
動態(tài)的dv/dt等級
175℃運行溫度
充分的雪崩等級
漏極電流（連續(xù)）：110 A
脈沖漏極電流：390A
功率消散 ：200W
線性額定降低因數(shù) ：1.3 W/℃
門極電壓：±20
雪崩電流：62A
重復雪崩能量：20 mJ dv/dt
二極管恢復峰值電壓變化率：5.0 V/nS
工作節(jié)點溫度和保存溫度： -55（to） +175℃
焊接溫度，在10秒內：300（假設為1.6mm）℃
|
PartNumbe |
VDss(V) |
ID（A） |
Max RDS(ON) @60%ID(Ω) |
Typical RDS(ON) @60%ID(Ω) |
|
IRF840 |
500 |
8 |
0.85 |
63 |
|
IRF7811 |
30 |
14 |
14 |
17 |
|
IRF610 |
200 |
3.3 |
1.5 |
8.2 |
|
IRF530 |
100 |
17 |
90 |
24.7 |
|
IRF634 |
250 |
8.1 |
0.45 |
54 |
|
IRF7413 |
30 |
13 |
11 |
44 |
|
IRF3710 |
100 |
57 |
23 |
86.7 |
|
IRF024 |
55 |
162 |
4 |
160 |
|
IRF630 |
200 |
9.5 |
300 |
23.3 |
|
IRf1404 |
40 |
162 |
4 |
160 |
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
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