30v90a,90a30v場效應管,KNY3303A參數引腳圖資料-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2025-01-07
KNY3303A場效應管采用先進的平面條形DMOS技術生產,漏源擊穿電壓30V,漏極電流90A,低導通電阻RDS(on)=3.1mΩ,最大限度地降低導通電阻,減少損耗,提供卓越的開關性能;改進的dv/dt能力、快速切換、綠色設備可用,穩定可靠;適用于高效開關電源、功率因數校正、逆變器,高效低耗;封裝形式:DFN5*6,尺寸小,散熱良好。
漏源電壓:30V
漏極電流:90A
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:360A
單脈沖雪崩能量:125MJ
功率耗散:69W
閾值電壓:1.6V
總柵極電荷:24nC
輸入電容:3070PF
輸出電容:400PF
反向傳輸電容:315PF
開通延遲時間:12.6nS
關斷延遲時間:42.8nS
上升時間:19.5ns
下降時間:13.2ns
聯系方式:鄒先生
座機:0755-83888366-8022
手機:18123972950(微信同號)
QQ:2880195519
聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號:提供 MOS管 技術支持
免責聲明:網站部分圖文來源其它出處,如有侵權請聯系刪除。