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      電源mos840參數(shù),500v8a場效應(yīng)管,KIA840SD資料規(guī)格書-KIA MOS管

      信息來源:本站 日期:2024-12-27 

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      電源mos840參數(shù),500v8a場效應(yīng)管,KIA840SD資料規(guī)格書-KIA MOS管


      500v8a場效應(yīng)管,KIA840SD參數(shù)引腳圖

      KIA840SD場效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V,漏極電流8A,低導(dǎo)通電阻RDS(on)=0.7Ω,最大限度地降低導(dǎo)通電阻,減少損耗;低電阻、低柵極電荷,在開關(guān)過程中能夠快速響應(yīng)并提供穩(wěn)定的電流輸出;合理的峰值電流與脈沖寬度曲線,穩(wěn)定可靠;符合RoHS標準,綠色環(huán)保,適用于適配器、電視電源、SMPS電源以及液晶面板電源,封裝形式:TO-252,體積小,散熱良好。

      500v8a場效應(yīng)管,KIA840SD


      500v8a場效應(yīng)管,KIA840SD參數(shù)

      漏源電壓:500V

      漏極電流:8A

      柵源電壓:±20V

      脈沖漏電流:28A

      雪崩能量單脈沖:400MJ

      最大功耗:100W

      閾值電壓:3V

      輸入電容:960PF

      輸出電容:110PF

      反向傳輸電容:10PF

      開通延遲時間:11nS

      關(guān)斷延遲時間:46nS

      上升時間:17ns

      下降時間:22ns

      500v8a場效應(yīng)管,KIA840SD規(guī)格書

      500v8a場效應(yīng)管,KIA840SD

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