逆變器mos管,100a40vmos管,KNP3204A場效應管參數資料-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-12-11
逆變器專用MOS管KNP3204A漏源擊穿電壓40V, 漏極電流100A ,采用專有新型溝槽技術,超低導通電阻RDS(導通)4mΩ,低柵極電荷,能夠最大限度地減少導通損耗,高效率低損耗;快速恢復體二極管,穩定可靠;適用于DCDC轉換器、逆變器、電源應用,封裝形式:TO-220。
漏源電壓:40V
漏極電流:100A
柵源電壓:±20V
閾值電壓:2-4V
脈沖漏電流:480A
雪崩能量單脈沖:500MJ
功率耗散:250W
總柵極電荷:51nC
輸入電容:3000PF
輸出電容:425PF
開通延遲時間:15nS
關斷延遲時間:75nS
上升時間:60ns
下降時間:40ns
聯系方式:鄒先生
座機:0755-83888366-8022
手機:18123972950(微信同號)
QQ:2880195519
聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號:提供 MOS管 技術支持
免責聲明:網站部分圖文來源其它出處,如有侵權請聯系刪除。