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      40n06場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),40n06參數(shù),KIA40N06中文資料-KIA MOS管

      信息來(lái)源:本站 日期:2024-04-26 

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      40n06場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),KIA40N06

      KIA40N06B是性能最高的溝槽N溝道MOSFET,具有極高的單元密度,可為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供出色的RDSO和柵極電荷。KIA40N06B符合RoHS和GreeProduct的要求,100%EAS保證,并通過(guò)了全功能可靠性認(rèn)證。


      KIA40N06B場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的高細(xì)胞密度溝槽技術(shù),具備出色的性能,漏源擊穿電壓60V,漏極電流38A,在VDS為60V時(shí),RDS(開(kāi)啟)僅為14m?,表現(xiàn)出卓越的導(dǎo)通能力、超低的柵極電荷,在Cdv/dt效應(yīng)下降方面表現(xiàn)出色、100%的EAS保證,在各種工作條件下都能穩(wěn)定可靠、GreeDevice技術(shù)的引入,進(jìn)一步提升了性能,適用于各類(lèi)應(yīng)用場(chǎng)景。


      KIA40N06B場(chǎng)效應(yīng)管適用于MB/NB/UMPC/VGA高頻點(diǎn)負(fù)載同步降壓變換器以及聯(lián)網(wǎng)DC-DC電源系統(tǒng)、LCD/LED背光等設(shè)備,為電子產(chǎn)品提供可靠穩(wěn)定的電力支持,40n06場(chǎng)效應(yīng)管高效的能量轉(zhuǎn)換能力,能夠發(fā)揮出良好的性能,為產(chǎn)品的性能提升和穩(wěn)定性提供了強(qiáng)大的支持。KIA40N06B場(chǎng)效應(yīng)管封裝形式:TO-251、TO-252。

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      漏源電壓:60V

      漏極電流:38A

      漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):14mΩ

      柵源電壓:±20V

      脈沖漏電流:80A

      雪崩能量單脈沖:67MJ

      總功耗:45W

      輸入電容:2423PF

      輸出電容:145PF

      總柵極電荷:17.6nC

      開(kāi)通延遲時(shí)間:15.5nS

      關(guān)斷延遲時(shí)間:72.8nS

      上升時(shí)間:2.2ns

      下降時(shí)間:3.8ns


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