MOS管識別及MOS管和IGBT管的辨別-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2020-09-25
1)P溝道與N溝道的識別。
MOS管識別,MOSFET在導通時,傳輸電流的層為P溝道的,則為P溝道MOSFET;傳輸電流的層為N溝道的,則為N溝道MOSFET。
從原理圖中看的話,可以看圖上中漏極源極下方所示的為N型硅還是P型硅。
從代表符號上來識別的話,則是可以看中間短線上的箭頭方向,向內(nèi)則為N溝道,向外則為P溝道。(想象PN結的指向,P在箭尾,N在箭頭,靠近短線的則表明其屬性)
2)耗盡型與增強型的識別。
由于MOSFET的導電能力就是在導電溝道形成的時候才具備的,形成溝道則認為其導通,溝道消失則認為其斷開,溝道形成與斷開均受VGS的控制。耗盡型MOSFET表示,其溝道在不加電壓Vgs的時候,是存在的,可以理解為常閉開關。但是在滿足控制要求的電壓后,則為斷開。Vgs的作用就是通過電壓,使溝道中的多子消散,從而使導電溝道中斷,電流無法流通,開關斷開。
加型MOSFET則表示,其溝道在不加電壓Vgs的時候,是不存在的,即理解為常開開關。但是在滿足控制要求的電壓后,則為閉合。Vgs的作用就是通過電壓,使溝道中的多子匯聚,從而形成導電溝道,電流可以流通,開關閉合。從代表符號上識別的方法,則看中部與門極緊鄰的線為三條斷線還是一條長線。三根斷線則表示溝道本來不存在,本來為斷開,加Vgs后才可閉合,因此為增強型MOSFET,如圖1中的所示;一條長線則表示,溝道本來就存在,可以導電,加Vgs后才斷開,因此為耗盡型MOSFET,如圖2 中所示。
3)源極漏極的識別。
無論N溝道還是P溝道的MOSFET,符號中,與中間短線連在一起的為源極,另一極為漏極。
圖1 N溝道與P溝道MOSFET原理示意圖與對應符號
圖2 耗盡型MOSFET原理圖及其代表符號
4)二者使用中的區(qū)別(僅針對增加型MOSFET)。
對于NMOS管:
先把MOS管的G極和S極短接(用鑷子夾一下就行了),然后測量D極和S極的電阻。測試時電流從S極流到D極,即紅筆接S極,黑筆接D極,這個時候測出來的電阻和正常MOS管測出來的做對比,如果差太大,那肯定就是燒了。如果表筆接反了,正常的MOS管測出來的電阻是斷路。(二極管存在的緣故)如果MOS管過壓,一般會造成三端短路,功率電壓進入G極,燒掉前面的柵極驅動芯片。如果MOS管過流,則一般燒斷路。對于PMOS管,則相反,依據(jù)二極管的方向
a) N溝道MOSFET的電流流向為由D-->S,P溝道的電流流向為S-->D;
b) N溝道MOSFET要使N溝道中多子--電子匯聚,因此門極應為正電壓,方可異性相吸,因此,Vgs為正電壓。具體閥值電壓請查看其datasheet。P溝道MOSFET要使P溝道中多子--空穴匯聚,因此門極應為負電壓,方可異性相吸,因此,Vgs為負電壓。具體閥值電壓請查看其datasheet。
如何辨別MOS管的三個極:MOS管的三個極分別是:G(柵極),D(漏極)s(源及),要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值,漏極和源及才能導通。
1.判斷柵極G
MOS管識別,MOS管驅動器主要起波形整形和加強驅動的作用:假如MOS管的G信號波形不夠陡峭,在點評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉換效率,MOS管發(fā)燒嚴峻,易熱損壞MOS管GS間存在一定電容,假如G信號驅動能力不夠,將嚴峻影響波形跳變的時間。
MOS管識別,將G-S極短路,選擇萬用表的R×1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極,阻值應為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大,并且交換表筆后仍為無限大,則證實此腳為G極,由于它和另外兩個管腳是絕緣的。
2.判斷源極S、漏極D
將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時黑表筆的是S極,紅表筆接D極。因為測試前提不同,測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。
3.丈量漏-源通態(tài)電阻RDS(on)
在源-漏之間有一個PN結,因此根據(jù)PN結正、反向電阻存在差異,可識別S極與D極。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。
帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管的識別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管它們的柵極位置一樣,IGBT管的C極位置跟MODS管的D極位置相對應,IGBT管的e極位置跟MODS管的S極位置相對應,對它們的好壞判斷及及區(qū)分可以用動靜態(tài)測量方法來完成。
靜態(tài)測量判斷MOS管和IGBT管的好壞
先將兩個管子的管腳短路放掉靜電,MOS管的D極與S極之間有個PN接,正向導通反向截止,于是有Rgd=Rgs=Rds=無窮大,Rsd=幾千歐。IGBT管的G極到c、e極的電阻應為無窮大,即Rgc=Rge=無窮大,而IGBT管的之間有阻尼二極管的存在,因此具有單向導電反向截止特性,即Rce=無窮大,Rec=幾千歐。從這里只能用萬用表的電阻檔判斷出管子的好壞,卻區(qū)分不出是那種管子。測量得阻值很小,則說明管子被擊穿,測量阻值很大,說明管子內(nèi)部斷路。
動態(tài)測量區(qū)分MOS管和IGBT管
先用萬用表給管子的柵極施加電壓,是場效應管建立起溝道,然后測量D、S及c、e之間的阻值,根據(jù)阻值的差異來區(qū)分MOS管和IGBT管。用萬用表的電阻檔測量兩個管子的D、S及c、e之間的電阻,由于場效應管已經(jīng)建立溝道,Rds=Rsd≈0,而Rce之間呈現(xiàn)電阻Rce,晶體三極管處于放大狀態(tài)的導通電阻,Rec為內(nèi)部阻尼二極管的導通電阻,兩者均為幾千歐。因此根據(jù)測量可知,兩個管子的導通程度不一樣,MOS管的D、S之間電阻值是遠小于IGBT管c、e之間的電阻值,于是可以分辨出MOS與IGBT管。
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