廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

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      MOS管3400規(guī)格書(shū)下載-MOS管3400封裝-MOS管3400價(jià)格-KIA MOS管

      信息來(lái)源:本站 日期:2019-11-14 

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      MOS管3400原廠

      KIA半導(dǎo)體是一家專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì),集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。


      MOS管3400


      擁有20年多年的企業(yè)歷史及16年的品牌歷史的可易亞,多年來(lái)一直堅(jiān)持創(chuàng)新技術(shù),專注自主研發(fā)及制造MOS管,引進(jìn)多臺(tái)國(guó)外先進(jìn)設(shè)備,業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數(shù)檢測(cè)、雪崩能量檢測(cè)、可靠性實(shí)驗(yàn)、系統(tǒng)分析、失效分析等領(lǐng)域。強(qiáng)大的研發(fā)平臺(tái),使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)35項(xiàng),并掌握多項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管核心制造技術(shù)。


      MOS管3400參數(shù)、封裝、規(guī)格書(shū)等產(chǎn)品數(shù)據(jù)
      (一)MOS管3400產(chǎn)品概述

      KIA3400采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供給良好的RDS(on),低門電荷門極電壓低至2.5V。KIA3400適合用于負(fù)載開(kāi)關(guān)或是用于脈寬調(diào)制應(yīng)用。KIA3400是標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(符合ROHS和Sony 259規(guī)范)。


      (二)MOS管3400的產(chǎn)品特征

      VDS(V)=30V

      RDS(on)<40mΩ(VGS=10V,ID=4.8A)

      RDS(on)<42mΩ(VGS=4.5V,ID=4.0A)

      RDS(on)<55mΩ(VGS=2.5V,ID=3.5A)


      (三)MOS管3400封裝圖


      MOS管3400


      (四)MOS管3400主要參數(shù)

      型號(hào):KIA3400

      漏源電壓:30V

      柵源電壓:±12V

      持續(xù)漏電流:4.8A

      脈沖漏極電流:30A

      結(jié)溫和儲(chǔ)存溫度范圍:-55℃-150℃

      漏源擊穿電壓:30V


      MOS管3400


      (五)MOS管3400規(guī)格書(shū)

      在線查看及下載規(guī)格書(shū),請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。


      MOS管3400


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