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      300V MOS管選型-300V MOS管型號(hào)參數(shù)、封裝尺寸、價(jià)格等資料-KIA MOS管

      信息來源:本站 日期:2019-09-05 

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      300V MOS管選型-300V MOS管型號(hào)參數(shù)、封裝尺寸、價(jià)格等資料

      300V MOS管型號(hào)-KNX9130A主要參數(shù)詳情

      型號(hào)命名:KNX9130A

      工作方式:40A/300V

      漏源電壓:300V

      門-源電壓:±20V

      連續(xù)漏電電流:40A

      單脈沖雪崩能量:1250MJ

      二極管峰值恢復(fù):5.0V/ns

      漏源擊穿電壓:300V

      輸入電容:3100pF

      輸出電容:250pF

      反向傳輸電容:80pF


      300V MOS管型號(hào)-KNX9130A產(chǎn)品特點(diǎn)

      RDS(ON),typ.=100mΩ@VGS=10V

      專有的新平面技術(shù)

      低柵電荷最小開關(guān)損耗

      快速恢復(fù)體二極管


       MOS管型號(hào)-KNX9130A產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域

      1、不間斷電源

      2、直流-直流變換器

      3、電機(jī)控制

      4、其他領(lǐng)域


      300V MOS管型號(hào)-KNX9130A產(chǎn)品封裝實(shí)物圖


      300V MOS管


      300V MOS管


      300V MOS管原廠

      深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì),集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。


      300V MOS管


      KIA半導(dǎo)體也一直執(zhí)行全面質(zhì)量管理體系,是將所有產(chǎn)品質(zhì)量從芯片設(shè)計(jì)開始,一直貫徹到客戶使用的全過程質(zhì)量跟蹤和監(jiān)控。我們確定在這一質(zhì)量控制體系下生產(chǎn)的產(chǎn)品,在相關(guān)環(huán)節(jié)的質(zhì)量狀態(tài)和信息都是有效控制,確保提供給客戶的產(chǎn)品是安全可靠的。

      需要咨詢更多產(chǎn)品信息、價(jià)格、封裝等資料,請(qǐng)聯(lián)系我們,我們將竭誠為您服務(wù)!


      MOS管參數(shù)介紹

      ards---漏源電阻溫度系數(shù)

      aID---漏極電流溫度系數(shù)

      Vn---噪聲電壓

      η---漏極效率(射頻功率管)

      Zo---驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻

      VGu---柵襯底電壓(直流)

      VDu---漏襯底電壓(直流)

      Vsu---源襯底電壓(直流)

      VGD---柵漏電壓(直流)

      VDS(sat)---漏源飽滿電壓

      VDS(on)---漏源通態(tài)電壓

      V(BR)GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓

      Vss---源極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))

      VGG---柵極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))

      VDD---漏極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))

      VGSR---反向柵源電壓(直流)

      VGSF--正向柵源電壓(直流)

      Tstg---貯成溫度

      Tc---管殼溫度

      Ta---環(huán)境溫度

      Tjm---最大容許結(jié)溫

      Tj---結(jié)溫

      PPK---脈沖功率峰值(外電路參數(shù))

      POUT---輸出功率

      PIN--輸入功率

      PDM---漏極最大容許耗散功率

      PD---漏極耗散功率

      R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻

      R(th)jc---結(jié)殼熱阻

      RL---負(fù)載電阻(外電路參數(shù))

      Rg---柵極外接電阻(外電路參數(shù))

      rGS---柵源電阻

      rGD---柵漏電阻

      rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻

      rDS(on)---漏源通態(tài)電阻

      rDS---漏源電阻

      Ls---源極電感

      LD---漏極電感

      L---負(fù)載電感(外電路參數(shù))

      Ku---傳輸系數(shù)

      K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)

      gds---漏源電導(dǎo)

      ggd---柵漏電導(dǎo)

      GPD---共漏極中和高頻功率增益

      GpG---共柵極中和高頻功率增益

      Gps---共源極中和高頻功率增益

      Gp---功率增益

      gfs---正向跨導(dǎo)

      Ipr---電流脈沖峰值(外電路參數(shù))

      Iu---襯底電流

      IDSS2---對(duì)管第二管漏源飽滿電流

      IDSS1---對(duì)管第一管漏源飽滿電流

      IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流

      IF---二極管正向電流

      IGP---柵極峰值電流

      IGM---柵極脈沖電流

      IGSO---漏極開路時(shí),截止柵電流

      IGDO---源極開路時(shí),截止柵電流

      IGR---反向柵電流

      IGF---正向柵電流

      IG---柵極電流(直流)

      IDS(sat)---溝道飽滿電流(漏源飽滿電流)

      IDSS---柵-源短路時(shí),漏極電流

      IDSM---最大漏源電流

      IDS---漏源電流

      IDQ---靜態(tài)漏極電流(射頻功率管)

      ID(on)---通態(tài)漏極電流

      dv/dt---電壓上升率(外電路參數(shù))

      di/dt---電流上升率(外電路參數(shù))

      Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量

      Ear:重復(fù)雪崩擊穿能量

      Iar:雪崩電流

      Ton:正導(dǎo)游通時(shí)刻.(根本能夠忽略不計(jì)).

      Qrr :反向恢復(fù)充電電量.

      Trr :反向恢復(fù)時(shí)刻.

      VSD :正導(dǎo)游通壓降.

      ISM:脈沖最大續(xù)流電流(從源極).

      IS :接連最大續(xù)流電流(從源極).

      EAR:重復(fù)雪崩擊穿能量.

      IAR :雪崩電流.

      EAS :單次脈沖雪崩擊穿能量.這是個(gè)極限參數(shù),闡明 MOSFET 所能接受的最大雪崩擊穿能量.


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