600V-700V MOS管型號 參數 封裝-MOS管原裝正品 免費送樣-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2019-08-30
(1) 開啟電壓VT :在VDS為一固定數值時,能產生ID所需要的最小 |VGS | 值。(增強)
(2) 夾斷電壓VP :在VDS為一固定數值時,使 ID對應一微小電流時的 |VGS | 值。(耗盡)
(3) 飽和漏極電流IDSS :在VGS = 0時,管子發生預夾斷時的漏極電流。(耗盡)
(4) 極間電容 :漏源電容CDS約為 0.1~1pF,柵源電容CGS和柵漏極電容CGD約為1~3pF。
(5) 低頻跨導 gm :表示VGS對iD的控制作用。在轉移特性曲線上,gm 是曲線在某點上的斜率,也可由iD的表達式求導得出,單位為 S 或 mS。
(6) 最大漏極電流 IDM
(7) 最大漏極耗散功率 PDM
(8) 漏源擊穿電壓 V(BR)DS 柵源擊穿電壓 V(BR)GS
1、可應用于放大電路。由于MOS管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。
2、很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3、可以用作可變電阻。
4、可以方便地用作恒流源。
5、可以用作電子開關。
MOS管為壓控元件,你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導通,它的導通就像三極管在飽和狀態一樣,導通結的壓降最小。這就是常說的精典是開關作用。去掉這個控制電壓經就截止。
我們知道MOS管對于整個供電系統起著穩壓的作用,但是MOS管不能單獨使用,它必須和電感線圈、電容等共同組成的濾波穩壓電路,才能發揮充分它的優勢。
接下來我們了解一下KIA半導體600V-700V的MOS管型號、封裝、參數。
深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開發設計,集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企業。
KIA半導體已經有強大的研發平臺,使得KIA在工藝制造、產品設計方面擁有知識產權35項,并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發已經成為了企業的核心競爭力。
KIA專注于產品的精細化與革新,力求為客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技產品。
從設計研發到制造再到倉儲物流,KIA半導體真正實現了一體化的服務鏈,真正做到了服務細節全到位的品牌內涵,我們致力于成為場效應管(MOSFET)功率器件領域的領跑者,為了這個目標,KIA半導體正在持續創新,永不止步!
以下是600V-700V MOS管選型,如需了解更多型號或其他產品,請聯系我們!我們將竭誠為您服務!
Part Number |
ID(A) |
BVDSS(v) |
Typical RDS(ON)@60% ID(Ω) |
MAX RDS(ON)@60% ID(Ω) |
ciss |
pF |
|||||
KNX4365A |
4 |
650 |
2 |
2.5 |
523 |
KIA7N65H |
7 |
650 |
1.2 |
1.4 |
1000 |
KNX4665B |
7 |
650 |
1.1 |
1.4 |
1048 |
KNX4665A |
7.5 |
650 |
1.1 |
1.4 |
970 |
KIA10N65H |
10 |
650 |
0.65 |
0.75 |
1650 |
KNX6165A |
10 |
650 |
0.6 |
0.9 |
1554 |
KIA12N65H |
12 |
650 |
0.63 |
0.75 |
1850 |
KIA6N70H |
5.8 |
700 |
1.8 |
2.3 |
650 |
KNX4360A |
4 |
600 |
1.9 |
2.3 |
511 |
KIA5N60E |
4.5 |
600 |
2 |
2.5 |
780 |
KNX4660A |
7 |
600 |
1 |
1.25 |
1120 |
KNX4760A |
8 |
600 |
0.85 |
1.1 |
1250 |
KIA10N60H |
9.5 |
600 |
0.6 |
0.73 |
1570 |
KIA12N60H |
12 |
600 |
0.53 |
0.65 |
1850 |
KNX7160A |
20 |
600 |
0.35 |
0.45 |
2800 |
聯系方式:鄒先生
聯系電話:0755-83888366-8022
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