廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司
         
        
      國(guó)家高新企業(yè)
      
    
      
    
    
         
        
    	
      
        	cn
                          en
                      
        
      
    
      

          
  

      
    

          

    
    
    


      
	
      
    	
      新聞中心
      
                
      

      

      
	
      
    	                
              	
			
      
                
      
                    
      HY1906替代MOS管-HY1906、KNX3308A規(guī)格書(shū)、封裝、參數(shù)-KIA MOS管
      
                    
      
                        
      信息來(lái)源：本站　日期：2019-07-03　
      
                        
      
                            分享到：
                            
                            
                        
      
                        
                        
                    
      
                
      
                
      
                	
      
	HY1906替代MOS管-HY1906、KNX3308A規(guī)格書(shū)、封裝、參數(shù)詳解 

      

      
	HY1906規(guī)格書(shū),HY1906參數(shù),HY1906替代 

      

      
	下文將會(huì)詳細(xì)的介紹國(guó)產(chǎn)MOS管KNX3308A和HY1906兩個(gè)產(chǎn)品的主要參數(shù)、封裝、應(yīng)用領(lǐng)域等產(chǎn)品信息。KIA半導(dǎo)體是一家專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。 

      

      
	
      
       

      

      
	從設(shè)計(jì)研發(fā)到制造再到倉(cāng)儲(chǔ)物流，KIA半導(dǎo)體真正實(shí)現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細(xì)節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個(gè)目標(biāo)，KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！ 

      

      
	
      
       

      

      
	MOS管 KNX3308A產(chǎn)品特征 

      

      
	RDS(ON)=6.2mΩ(typ)@VGS=10V 

      

      
	提供無(wú)鉛環(huán)保設(shè)備 

      

      
	降低導(dǎo)電損耗的低RD值 

      

      
	高雪崩電流 

      

      
	MOS管 KNX3308A應(yīng)用領(lǐng)域 

      

      
	電力供應(yīng) 

      

      
	直流變換器 

      

      
	
      
       

      

      
	MOS管 KNX3308A主要參數(shù) 

      

      
	型號(hào)：KNX3308A 

      

      
	電流：80A 

      

      
	電壓：80V 

      

      
	漏源極電壓:80V 

      

      
	柵源電壓:±25 

      

      
	脈沖漏電流：340A 

      

      
	雪崩電流:20A 

      

      
	雪崩能源:410MJ 

      

      
	
      
       

      

      
	MOS管 KNX3308A封裝引腳圖 

      

      
	
      
       

      

      
	HY1906規(guī)格書(shū),HY1906參數(shù),HY1906替代 

      

      
	
      
       

      

      
	KNX3308A產(chǎn)品規(guī)格書(shū) 

      

      
	查看規(guī)格書(shū)，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。 

      

      
	
      
       

      

      
	HY1906規(guī)格書(shū),HY1906參數(shù),HY1906替代 

      

      
	
      
       

      

      
	MOS管 HY1906 60V/70A產(chǎn)品特征 

      

      
	RDS(ON)=5.7 mΩ(typ.)@VGS=10V 

      

      
	雪崩測(cè)試100% 

      

      
	
      
       

      

      
	MOS管 HY1906 60V/70A參數(shù) 

      

      
	型號(hào)：HY1906 

      

      
	參數(shù)：60V/70A 

      

      
	漏源電壓：60V 

      

      
	柵源電壓:±25V 

      

      
	源電流連續(xù):70A 

      

      
	脈沖漏電流:260A 

      

      
	連續(xù)漏電流 Tc=25℃:70A 

      

      
	連續(xù)漏電流 Tc=100℃:49.5A 

      

      
	單脈沖雪崩能量286.6MJ 

      

      
	漏源擊穿電壓：60V 

      

      
	輸入電容：4620PF 

      

      
	輸出電容：410PF 

      

      
	反向傳輸電容:360PF 

      

      
	
      
       

      

      
	MOS管 HY1906 60V/70A規(guī)格書(shū) 

      

      
	查看及下載規(guī)格書(shū)，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。 

      

      
	
      
       

      

      
	HY1906規(guī)格書(shū),HY1906參數(shù),HY1906替代 

      

      
	
      

      

      
	聯(lián)系方式：鄒先生 

      

      
	聯(lián)系電話：0755-83888366-8022 

      

      
	手機(jī)：18123972950 

      

      
	QQ：2880195519 

      

      
	聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1 

      

      
	
      

      

      
	請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào) 

      

      
	請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供 MOS管 技術(shù)幫助