廣東可易亞半導體科技有限公司
         
        
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      MOS管參數大全
      
                    
      
                        
      信息來源：本站　日期：2017-04-27　
      
                        
      
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	Mosfet參數意義闡明 Features:

      

      
	
      

      

      
	Vds：    DS擊穿電壓.當Vgs=0V時，MOS的DS所能承受的最大電壓

      

      
	Rds(on)：DS的導通電阻.當Vgs=10V時，MOS的DS之間的電阻

      

      
	
      

      

      
	
      

      

      
	Id：     最大DS電流.會隨溫度的增加而下降

      

      
	Vgs:     最大GS電壓.通常為：-20V~+20V

      

      
	
      

      

      
	Pd:      最大耗散功率

      

      
	Tj:      最大作業結溫，通常為150度和175度

      

      
	Tstg:    最大存儲溫度

      

      
	Idm:     最大脈沖DS電流.會隨溫度的增加而下降，表現一個抗沖擊才華，跟脈沖時刻也有聯絡

      

      
	Iar:     雪崩電流

      

      
	Ear:     重復雪崩擊穿能量

      

      
	BVdss：  DS擊穿電壓  Idss:    豐滿DS電流，uA級的電流 Eas:     單次脈沖雪崩擊穿能量  Igss:    GS驅動電流，nA級的電流.

      

      
	Eas:     單次脈沖雪崩擊穿能量

      

      
	gfs:     跨導  Qg:      G總充電電量

      

      
	Qgs:     GS充電電量

      

      
	Eas:     單次脈沖雪崩擊穿能量

      

      
	Qgd:     GD充電電量

      

      
	Td(on):  導通推遲時刻，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時刻

      

      
	
      

      

      
	Tr:      上升時刻，輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時刻

      

      
	Td(off): 關斷推遲時刻，輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關斷電壓時 10% 的時刻

      

      
	
      

      

      
	Ciss:    輸入電容，Ciss=Cgd + Cgs.

      

      
	Tf:      下降時刻，輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時刻

      

      
	Coss:    輸出電容，Coss=Cds +Cgd.  Crss:    反向傳輸電容，Crss=Cgc. 
      

      

      
	
      
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