MOS管KIA50N06替代NCE6050規格書資料 產品優質 全新原裝-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2019-04-15
MOS管KIA50N06替代NCE6050,文中將會具體的描述KIA50N06和NCE6050兩個產品參數、封裝、附加規格書等。KIA50n06是三端器件與約50A電流傳導能力,快速開關速度。低通態電阻,60V額定擊穿電壓,最大閾值4伏電壓。它主要適用于電子鎮流器和低功率開關。
RDS(ON)=18mΩ@VGS=10v。
超低柵極電荷(典型的30nc)
低反向轉移電容
快速切換的能力
100%雪崩能量
改進的dt/dt能力
漏極至源極電壓:60
柵源電壓:±20
漏極電流 (連續):50
單脈沖雪崩能量:480
耗散功率:130
工作溫度:-55~+150
輸入電容:VDS =25V,VGS=0V,f=1MHz
擊穿電壓溫度:0.7
上升時間:VDD=30V,ID=25A,RG=50Ω(note4,5)
查看規格書請點擊下圖。
漏源電壓:60V
柵源電壓:±20V
漏電流連續:50A
脈沖漏電流:220A
最大功耗:80W
輸入電容:900PF
輸出電容:104PF
封裝:TO-252、TO-251、TO-220
查看規格書請點擊下圖。
聯系方式:鄒先生
聯系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助