irf630場效應管參數規格書-原裝正品場效應管 價格詳情-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2019-02-21
IR的第五代HEXFET功率場效應管IRF630采用先進的工藝技術制造,具有極低的導通阻抗。IRF630這種特性,加上快速的轉換速率,和以堅固耐用著稱的HEXFET設計,使得IRF630成為極其高效可靠、應用范圍超廣的器件。
TO-220封裝的IRF630普遍適用于功耗在50W左右的工商業應用,低熱阻和低成本的TO-220封裝,使IRF630得到業內的普遍認可。D2Pak封裝的IRF630適用于貼片安裝,比起現有的任何其他貼片封裝,可說是功率最高,導通阻抗最低。TO-262是IRF630的通孔安裝版,適合較低端的應用。
先進的工藝技術
貼片安裝(IRF630NS)
低端通孔安裝(IRF630NL)
動態dv/dt率
175℃工作溫度
快速轉換速率
輕松并行
僅需簡單驅動
無鉛環保
漏極電流, Id 最大值:9A
電壓, Vds 最大:200V
開態電阻, Rds(on):0.4ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:3V
功率, Pd:100W
封裝類型, 替代:SOT-78B
引腳節距:2.54mm
時間, trr 典型值:170ns
晶體管數:1
晶體管類型:MOSFET
滿功率溫度:25°C
電容值, Ciss 典型值:540pF
電流, Idm 脈沖:36A
表面安裝器件:通孔安裝
針腳格式:1G 2+插口 D 3S
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4V
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