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      數字萬用表mos測量好壞-淺析MOS管發熱原因及其他基礎知識詳解-KIA MOS管

      信息來源:本站 日期:2018-09-05 

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      數字萬用表mos測量好壞
      MOS管及符號

      mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

      雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管,叫做場效應管(FET),把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance,定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,以下為N溝道和P溝道符號。

      數字萬用表mos測量好壞

      N溝道mos管符號

      數字萬用表mos測量好壞

      P溝道mos管符號

      數字萬用表mos測量好壞

      如何快速判斷其好壞及引腳功能

      1)用10K檔,內有15伏電池??商峁妷骸?/span>

      2)因為柵極等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管。

      3)利用表筆對柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便。但要放電時需短路管腳或反充。

      4)大都源漏間有反并二極管,應注意,及幫助判斷。

      5)大都封莊為字面對自已時,左柵中漏右源。

      以上前三點必需掌握,后兩點靈活運用,很快就能判管腳,分好壞。

      如果對新拿到的不明MOS管,可以通過測定來判斷腳極,只有準確判定腳的排列,才能正確使用。

      管腳測定方法

      ①柵極G的測定:用萬用表R&TImes;100檔,測任意兩腳之間正反向電阻,若其中某次測得電阻為數百Ω),該兩腳是D、S,第三腳為G。

      ②漏極D、源極S及類型判定:用萬用表R&TImes;10kΩ檔測D、S問正反向電阻,正向電阻約為0.2&TImes;10kΩ,反向電阻(5一∞)X100kΩ。在測反向電阻時,紅表筆不動,黑表筆脫離引腳后,與G碰一下,然后回去再接原引腳,出現兩種情況:

      a.若讀數由原來較大值變為0(0&TImes;10kΩ),則紅表筆所接為S,黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效,使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω,還可證明該管為N溝道。

      b.若讀數仍為較大值,黑表筆不動,改用紅表筆接觸G,碰一下之后立即回到原腳,此時若讀數為0Ω,則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極,用紅表筆接觸G極有效,該MOS管為P溝道。

      數字萬用表mos測量好壞

      數字萬用表mos測量好壞-其他方法

      紅左,黑中、右 無窮大

      黑左, 紅中、右 無窮大

      紅中,黑右 無窮大;

      黑中紅右顯示530(左右)。

      其實場效應管三極管很好判斷:有字面朝上從左到右依次為:G、D、S,有些管相反:S、D、G。我修顯示器、主板、電源都是從上面的方法測絕對沒問題。你不信隨便拆塊板看一看,場效應管在電路圖板的布局及應VMOS大功率場效應晶體管的檢測

      1、判別各電極與管型

      用萬用表R×100檔,測量場效應晶體管任意兩引腳之間的正、反向電阻值。其中一次測量中兩引腳的電阻值為數百歐姆,這時兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D,而另一引腳為柵極G。再用萬用表R×10k檔測量兩引腳(漏極D與源極S)之間的正、反向電阻值。正常時,正向電阻值為2kΩ左右,反向電阻值大于500kΩ。在測量反向電阻值時,紅表筆所接引腳不動,黑表筆脫離所接引腳后,先與柵極G觸碰一下,然后再去接原引腳,觀察萬用表讀數的變化情況。若萬用表讀數由原來較大阻值變為0,則此紅表筆所接的即是源極S,黑表筆所接為漏極D。用黑表筆觸發柵極G有效,說明該管為N溝道場效應管。若萬用表讀數仍為較大值,則黑表筆接回原引腳不變,改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳,若此時萬用表讀數由原來阻值較大變為0,則此時黑表筆接的為源極S,紅表筆接的是漏極D。用表紅筆觸發柵極G有效,說明該管為P溝道場效應晶體管。

      2.判別其好壞

      用萬用表R×1k檔或R×10k檔,測量場效應管任意兩腳之間的正、反向電阻值。正常時,除漏極與源極的正向電阻值較小外,其余各引腳之間(G與D、G與S)的正、反向電阻值均應為無窮大。若測得某兩極之間的電阻值接近0Ω,則說明該管已擊穿損壞。另外,還可以用觸發柵極(P溝道場效應晶體管用紅表筆觸發,N溝道場效應管用黑表筆觸發)的方法來判斷場應管是否損壞。若觸發有效(觸發柵極G后,D、S極之間的正、反向電阻均變為0),則可確定該管性能良好。

      1 、用10K檔,內有15伏電池.可提供導通電壓.

      2 、因為柵極等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管.

      3 、利用表筆對柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時需短路管腳或反充.

      4 、大都源漏間有反并二極管,應注意,及幫助判斷.

      5、 大都封莊為字面對自已時,左柵中漏右源.

      MOS管發熱分析

      做電源設計,或者做驅動方面的電路,難免要用到MOS管。MOS管有很多種類,也有很多作用。做電源或者驅動的使用,當然就是用它的開關作用。

      無論N型或者P型MOS管,其工作原理本質是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,不會發生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應,因此在開關應用中,MOS管的開關速度應該比三極管快。其主要原理如圖:

      數字萬用表mos測量好壞

      MOS管的工作原理

      我們在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路,如圖2漏極原封不動地接負載,叫開路漏極,開路漏極電路中不管負載接多高的電壓,都能夠接通和關斷負載電流。是理想的模擬開關器件。這就是MOS管做開關器件的原理。當然MOS管做開關使用的電路形式比較多了。

      NMOS管的開路漏極電路

      在開關電源應用方面,這種應用需要MOS管定期導通和關斷。比如,DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依賴兩個MOS管來執行開關功能,這些開關交替在電感里存儲能量,然后把能量釋放給負載。我們常選擇數百kHz乃至1MHz以上的頻率,因為頻率越高,磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間,MOS管只相當于一個導體。因此,我們電路或者電源設計人員最關心的是MOS的最小傳導損耗。

      我們經常看MOS管的PDF參數,MOS管制造商采用RDS(ON)參數來定義導通阻抗,對開關應用來說,RDS(ON)也是最重要的器件特性。數據手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以及流經開關的電流有關,但對于充分的柵極驅動,RDS(ON)是一個相對靜態參數。一直處于導通的MOS管很容易發熱。另外,慢慢升高的結溫也會導致RDS(ON)的增加。MOS管數據手冊規定了熱阻抗參數,其定義為MOS管封裝的半導體結散熱能力。RθJC的最簡單的定義是結到管殼的熱阻抗。

      其發熱情況有:

      1.電路設計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。

      2.頻率太高,主要是有時過分追求體積,導致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發熱也加大了。

      3.沒有做好足夠的散熱設計,電流太高,MOS管標稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流,也可能發熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。

      4.MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內阻沒有充分考慮,導致開關阻抗增大。

      數字萬用表mos測量好壞


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